Auteur | Collectif |
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Editeur | Société des éditions radio |
Impression | 1986 |
Etat | Bon état |
Disponibilité | 1 en stock |
Prix |
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Référence | R110634219 |
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Classement Dewey | 621,3 |
Fiche créée le | 17/06/2021 |
Toute l'électronique n° 517 - le l2 fet transistor a effet de champ a niveau logique par l. maréchal, les transistors a haute mobilité d'électrons par t. mimura, synthétiseur de formes d'ondes arbitraires pour tests dynamiques par j.c. reghinot par Collectif
Société des éditions radio. Octobre 1986. In-4. Broché. Bon état, Couv. convenable, Dos satisfaisant, Intérieur frais. 115 pages. Nombreuses illustrations en noir et blanc dans et hors texte.. . . . Classification Dewey : 621.3-Electronique
Sommaire : Le L2 FET transistor a effet de champ a niveau logique par L. Maréchal, Les transistors a haute mobilité d'électrons par T. Mimura, Synthétiseur de formes d'ondes arbitraires pour tests dynamiques par J.C. Reghinot, Multimètres numériques : protection contre le bruit par S. Sénécal Classification Dewey : 621.3-Electronique